Аналіз структури кристалів напівізолюючого нелегованого арсеніду галію

Ivan V. Chupylko

Анотація


Запропонована методика знаходження концентрації точкових дефектів монокристалів напівізолюючого нелегованого арсеніду галію з різним відхиленням їх складу від стехіометричного.


Ключові слова


арсенід галію; монокристал; стехіометрія; точкові дефекти

Повний текст:

PDF

Посилання


Брук, А. С. Исследование неоднородности арсенида галлия методом микрокатодолюминесценции [Текст] / А. С. Брук, Е. Н. Воронков, А. В. Говорков // Изв. АН СССР. Сер. физ. – 1988. – Т. 52, № 7. – С. 1368 - 1372.

Бублик, В. Т. Микродефекты в нелегированных монокристаллах GaAs, выращенных из расплавов с разным отклонением от стехиометрии [Текст] / В. Т. Бублик, К. Д. Щербачев // Кристаллография. – 1994. – Т. 39, № 6. – С. 1105-1111.

Ковальчук, Н. А. Влияние состава расплава на электрические свойства и структуру монокристаллов нелегированного арсенида галлия [Текст] / Н. А. Ковальчук, А. В. Марков, М. Г. Мильвидский // Неорганичные материалы. – 1988. – Т. 24, № 2. – С. 324-326.

Литвинова, М. Б. Влияние дефектной структуры монокристаллов арсенида галлия на формирование механических напряжений в примесной диффузионной зоне [Текст] / М. Б. Литвинова, А. Д. Штанько // Тези доповідей ІІ Української наук. конф. з фізики напівпровідників. – Чернівці, 2004. – С. 178.

Литвинова, М. Б. Формирование механических напряжений в монокристаллах полуизолирующего нелегированного арсенида галлия в результате высокотемпературного отжига [Текст] / М. Б. Литвинова, А. Д. Штанько // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. – 2005. – Вып. 40. – С. 228-233.

Литвинова, М. Б. Роль дислокаций в формировании механических напряжений при термообработке монокристаллов арсенида галлия [Текст] / М. Б. Литвинова, С. В. Шутов // Кристаллография. – 2001. – Т. 46, № 2. – С. 343-346.

Шишияну, Ф. С. Диффузия и деградация в полупроводниковых материалах и приборах [Текст] / Ф. С. Шишияну. – Кишинев : Штиинца, 1978. – 230 c.

Chang, C. Y. GaAs high-speed deviceces [Text] / C. Y. Chang, F. Kai. – New York : John Wiley & Sons, 1994. – P. 45.

Chen, N. F. Stoichiometric defects in semi-insulating GaAs [Text] / N. F. Chen, H. He, Y. Wang, L. Lin // J. Crystal Growth. – 1997. – Vol. 173. – P. 325-329.

Holmes, D. E. Stixiometry controlled compensation in liquid encapsulated GaAs [Text] / D. E. Holmes, R. T. Chen, K. A. Elliot, C. G. Kirhpatrik // Appl. Phys. Lett. – 1982. – Vol. 40, № 1. – P. 46-48.

Hurle, D. T. J. Charged native point defects in GaAs and other III-V compounds [Text] / D. T. J. Hurle // J. Crystal Growth. – 2002. – Vol. 237-239, Part 3. – P. 1621-1627.


Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.