Розчинюючий відпал монокристалів арсеніду галію

Dmytro K. Shaposhnik, Oleksandr S. Prysiazhnyi

Анотація


Встановлено основні закономірності зміни фізичних характеристик монокристалів нелегованого арсеніду галію в результаті їх високотемпературного відпалу, що супроводжується різким охолодженням і веде до розчинення дислокаційних атмосфер у кристалах. Розглянуто найбільш вірогідні механізми формування одержаних характеристик у кристалах з різним відхиленням складу від стехіометричного.

Ключові слова


арсенід галію; термообробка; точкові дефекти

Повний текст:

PDF

Посилання


Бублик, В. Т. Микродефекты в нелегированных монокристаллах GaAs, выращенных из расплавов с разным отклонением от стехиометрии [Текст] / В. Т. Бублик, К. Д. Щербачев // Кристаллография. – 1994. – Т. 39, № 6. – С. 1105-1111.

Влияние времени термообработки на физические свойства полуизолирующего GaAs [Текст] / М. Б. Литвинова, С. В. Шутов, О. Н. Лебедь, А. Д. Штанько // Петербургский журнал электроники. – 2000. – № 1(22). – С. 27-31.

Влияние многоступенчатого отжига на спектр центров в полуизолирующих кристаллах GaAs [Текст] / Н. М. Литовченко, А. В. Прохорович, О. Н. Стрильчук [и др.] // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. – 2003. – Вып. 38. – С. 302-305.

Глинчук, К. Д. Использование фото- и катодолюминесценции для изучения физических свойств полуизолирующих нелегированных кристаллов арсенида галлия с целью создания на их основе интегральных схем (обзор) [Текст] / К. Д. Глинчук, В. И. Гурошев, А. В. Прохорович // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. – 1992. – Вып. 24. – С. 66-96.

Изменение положения максимума и полуширины низкотемпературной (77 К) краевой полосы люминесценции при вариации концентрации фоновых легкоионизируемых примесей С и Si в нелегированных полуизолирующих кристаллах GaAs [Текст] / К. Д. Глинчук, Н. М. Литовченко, А. В. Прохорович, О. Н. Стрильчук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. – 1998. – Вып. 33. – С. 58-63.

Изучение влияния различных режимов термического отжига на образование микродефектов в монокристаллах нелегированного GaAs, выращенного по методу Чохральского [Текст] / В. Т. Бублик, М. И. Воронова, А. В. Марков, К. Д. Щербачев // Кристаллография. – 2000. – Т. 45, № 5. – С. 893-898.

Лейкин, В. Н. Дислокации и их влияние на электрофизические параметры полупроводниковых приборов [Текст] / В. Н. Лейкин, В. И. Зеленов, Т. А. Мингазин // Обзоры по электронной технике. Серия 2. Полупроводниковые приборы. – 1978. – Вып. 11(578). – С. 1-64.

Марков, А. В. Роль ростовых дислокаций в формировании неоднородности распределения свойств в монокристаллах арсенида галлия [Текст] / А. В. Марков, М. Г. Мильвидский, В. Б. Освенский // Рост кристаллов. – 1990. – № 18. – С. 214-233.

Шишияну, Ф. С. Диффузия и деградация в полупроводниковых материалах и приборах [Текст] / Ф. С. Шишияну. – Кишинев : Штиинца, 1978. – 230 c.

Low residual impurities assessment by photoluminesсence in multistep wafer-annealing semi-insulating Czochralsky-grown GaAs [Теxt] / O. Ka, O. Oda, A. Yamada, Y. Makita // Appl. Phys. Lett. – 1992. – Vol. 61, № 9. – P. 1095-1097.


Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.